美国商务部发布新规加强对先进计算半导体的限制，防止流向中国

当地时间2025年1月15日，美国商务部工业和安全局（BIS）修订了《出口管制条例》（EAR），以回应公众要求，为先进计算集成电路（IC）提供额外的尽职调查程序。据称该临时最终规则（IFR）将保护美国的安全，并帮助代工厂和外包半导体组装和测试（OSAT）公司遵守EAR中有关供应链中先进计算IC的规定。本IFR还修订了EAR，对BIS于2024年12月2日发布的《外国生产的直接产品规则的补充和先进计算和半导体制造物品控制的细化》（FDP IFR）所做的修改进行了修订和澄清，包括将FDP IFR的书面评论截止日期延长至2025年3月14日。

据称今天的规定加强了 2022 年 10 月 7 日、2023 年 10 月 17 日和 2024 年 12 月 2 日的控制措施，以限制中国获得某些对军事优势至关重要的高端芯片的能力。

本次规则包括以下要点：

1、对寻求出口某些先进芯片的代工厂和封装公司实施更广泛的许可证要求，除非满足以下三个条件之一：

• 出口给受信任的“批准”或“授权”集成电路设计商，该设计商证明芯片低于相关性能阈值；

• 芯片由前端制造商在包括澳门和D：5以外的地方或目的地进行封装，并由制造商核实最终芯片的晶体管数量；或

• 该芯片由“经批准”的外包半导体组装和测试服务（OSAT）公司封装，该公司验证最终芯片的晶体管数量。

2、第 740 部分的新补充第 6 号和第 7 号，增加两个清单，包括经批准的集成电路设计商和经批准的外包半导体封装和测试服务公司（outsourced semiconductor assembly and test services，OSAT）的清单，以及在指定目的地获得授权的集成电路设计商；并为要添加到获批 IC 设计人员和 OSAT 列表中的新公司创建一个流程。

3、改进涉及新客户的交易的报告，这些客户可能会带来更高的转移风险，以及新的“了解你的客户”（KYC）审查表格。

4、在已批准的集成电路设计商和已批准的外包半导体封装和测试服务公司（outsourced semiconductor assembly and test services，OSAT）名单中添加、修改和删除内容的申请流程；

5、新增五个定义：“16/14 纳米节点（16/14 nanometer node）”、“聚合近似晶体管数量（Aggregated approximated transistor count）”、“适用的先进逻辑集成电路（Applicable advanced logic integrated circuits）”、“前端制造商（Front-end fabricator）”和“外包半导体组装和测试 （OSAT）”。

5、修订以阐明 ECCN 3A090.a 的范围；

6、更新《出口管制条例》（EAR） 的其他部分，包括最近的人工智能扩散规则，以确保许可证例外仅适用于涉及已批准或授权的 IC 设计商的交易。

7、对 12 月 2 日的出口管制进行技术更正，包括更新第 772.1 节中动态随机存取存储器 （DRAM） 芯片的“先进节点集成电路”定义。

8、在实体清单中新增 16 家实体（11家中国实体），包括 Sophgo Technologies Ltd. 等人工智能公司，这些公司推进中国本土先进芯片生产的目标，这对美国和盟国的安全构成威胁。

现就主要修订内容进行解读。

人工智能授权 （Artificial Intelligence Authorization，AIA） 和先进计算制造 （Artificial Intelligence Authorization，ACM） 许可例外的修订

本 IFR 修订了两个许可例外范围内的项目：许可例外 AIA （§ 740.27） 和许可例外 ACM （§ 740.28）。许可例外 AIA 授权将 （a）（1） 和 （a）（2） 段中确定的物品出口、再出口和转让（国内）给位于第 740 部分第 5 号补充条款 （a） 段 （a） 段所列目的地内的实体，除非该实体的总部设在第 740 部分补充协议第 5 号 （a） 段规定的目的地之外，或最终母公司总部位于目的地之外， 根据附加条件，扩大了 （a）（3） 段中某些型号重量的授权。许可例外 ACM 授权将符合条件的商品（ECCN 3A090、4A090 和相关的 .z 商品、软件和技术）出口、再出口和转让（国内）给位于/地区组 D：5 中未列出的目的地的“私营部门最终用户”，前提是其总部不在澳门或/地区组 D：5 中指定的目的地，也没有总部位于澳门的最终母公司。如果最终用途是“开发”、“生产”或储存（在仓库或其他类似设施中）此类符合条件的物品。

本 IFR 修订了 AIA 许可例外，增加了对三种符合条件的商品的要求，以实现此例外：ECCN 3A090.a;5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a;和 5A992.z.1。这三个 ECCN 的要求规定，这些 ECCN 只有在由经批准或授权的 IC 设计者设计时才有资格获得此许可证例外，如第 740 部分的第 6 号补充和 ECCN 3A090.a 的注释 1 所述。此要求旨在确保寻求使用此例外的铸造厂和其他实体只有在物品由转移风险较低的实体设计时才能这样做。如 ECCN 3A090.a 的注释 1 所述，授权 IC 设计者是指 （i） 位于中国台湾或组 A：1 或 A：5 中指定的地点，其总部或最终母公司总部均不设在澳门，也不是第 740 部分补充第 1 号附录 D：5 中规定的地点，以及 （ii） 其交易受 EAR § 743.9 所述报告要求的约束。

该 IFR 同样修订了许可证例外 ACM。对 （b） 段进行了修订，增加了对三种符合条件的商品的要求，以实现此例外：ECCN 3A090.a;5A002.z.1.a、z.2.a、z.3.a、z.4.a、z.5.a;和 5A992.z.1。这三个 ECCN 的要求规定，这些 ECCN 只有在由经批准或授权的 IC 设计者设计时才有资格获得此许可例外，如第 740 部分的第 6 号补充和 ECCN 3A090.a 的注释 1 所述。与许可例外 AIA 的新要求一样，此要求旨在确保寻求使用许可例外 ACM 的代工厂和其他实体只有在与转移风险较低的实体合作时才能这样做。

这些修订版确保这三个 ECCN 的许可证例外 ACM 和 AIA 授权仅在由经批准或授权的 IC 设计人员设计时可用，从而支持更安全的供应链。EAR 仍然要求“前端制造商”对授权和批准的 IC 设计者进行持续的技术和 KYC 尽职调查，并将他们的结果报告给 BIS。这可确保 BIS 拥有有关这些实体的最新信息，使 BIS 能够根据报告的任何相关信息采取行动。

新增清单1：经批准的集成电路设计商（列于第 740 部分第 6 号补充文件）——lists of approved IC designers

Supplement No. 6 to Part 740—Approved integrated circuit designers.

Note: See Note 1 to ECCN 3A090.a.

Advanced Micro Devices, Inc.;

Alphabet, Inc.;

Amazon.com, Inc.;

Analog Devices, Inc.;

Apple, Inc.;

BAE Systems, Inc.;

Block, Inc.;

The Boeing Company;

Broadcom, Inc.;

Cerebras Systems, Inc.;

Cisco Systems, Inc.;

Hewlett Packard Enterprise Company;

Honeywell International, Inc.;

Infineon Technologies AG;

Intel Corporation;

International Business Machines Corporation (IBM);

L3Harris Technologies, Inc.;

Marvell Technology, Inc.;

MediaTek, Inc.;

Meta Platforms, Inc.;

Micron Technology, Inc.;

Microsoft Corporation;

Mitsubishi Group;

Nokia Corporation;

Nvidia Corporation;

NXP Semiconductors NV;

Qualcomm, Inc.;

Raytheon Company;

Realtek Semiconductor Corporation;

Sony Group Corporation;

Tesla, Inc.;

Texas Instruments; and

Western Digital Technologies, Inc.

新增清单2：经批准的外包半导体封装和测试服务公司（outsourced semiconductor assembly and test services，OSAT）（列于第 740 部分第 7 号补充文件）

Supplement No. 7 to Part 740—Approved “OSAT” companies.

Note: See Note 1 to ECCN 3A090.a.

Amkor Technology, Inc.; 

Ardentec Corporation;

ASE Technology Holding Co., Ltd.; 

Doosan Tesna, Inc.;

Fabrinet;

Giga Solution Tech. Co., Ltd.;

GlobalFoundries, Inc.

HT Micron Semicondutores SA;

Intel Corporation; 

International Business Machines Corporation (IBM);

KESM Industries Berhad; 

LB Semicon, Inc.;

Micro Silicon Electronics Co., Ltd.;

Nepes Corporation;

Powertech Technology, Inc. (PTI); 

QP Technologies;

Raytek Semiconductor, Inc.;

Samsung Electronics Co. Ltd.;

SFA Semicon Co., Ltd.;

Shinko Electric Industries Co. Ltd.;

Sigurd Microelectronics Corporation; 

Steco Co., Ltd.;

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC); and

United Microelectronics Corporation (UMC).

为授权IC设计人员生产“适用的先进逻辑集成电路”的“前端制造商”报告要求

第743.9条为“前端制造商”增加了新的报告要求，这些制造商为授权的IC设计师生产ECCN 3A090.a中规定的任何IC。授权的IC设计师是指符合3A090.a新注释1标准的公司，包括同意向“前端制造商”提交第743.9(b)条规定的适用信息的公司，“前端制造商”随后必须向BIS报告，并将这些实体排除在3A090.a注释1所述的某些许可要求之外。这些新的报告要求旨在确保美国政府能够了解那些未列入初始批准的IC设计师名单的公司。

第743.9条(b)款规定了“前端制造商”必须收集的信息，并将其纳入向BIS提交的关于授权IC设计商的报告中（例如，授权IC设计商的名称、地址和联系点；本部分第2号补充材料中包含的最终用户审查表；以及报告季度内销售的ECCN 3A090.a类IC的类别描述）。报告中关于ECCN 3A090.a类IC的指定或假定指定的信息应包括设计商、产品名称、型号（如已知）和报告季度内的销售数量。这些信息使美国政府能够了解验证过程。

 第743.9节的最后三段提供了更多关于如何提交报告以及向谁提交一般报告信息的信息。

报告必须按照本节的规定按季度提交。

第743.9节中讨论的授权IC设计师的KYC审查表已通过本IFR在新的第743部分第2号补充中增加。

在已批准的集成系统设计商和已批准的“OSAT”公司名单中添加、修改和删除的应用流程

第748部分通过增加新的第748.16节来修订，该节涉及对已批准的IC设计师和已批准的“OSAT”公司的添加、删除或修改请求。第748.16节指出，要符合在EAR第740部分的补充6号或7号中列出的资格，申请人必须遵守本节(a)至(d)款的规定。

§ 748.16 的 （a）（1） 段规定，只有已经设计、组装、测试或封装 IC 或有可靠计划的实体才会被考虑添加到第 740 部分第 6 号或第 7 号补充清单中。总部或最终母公司总部位于澳门或目的地位于 D：5 组的实体不符合资格，因为它们面临向“前端制造商”提供不准确信息的巨大压力，以便获得代工服务以制造受限制的先进 IC。同时，尚未设计、组装、测试或封装 IC 且没有可信计划的实体没有资格列入任一列表，因为它们无法证明其未自行设计、组装、测试或封装的 IC 的性能规格。

新增定义：增加了“16/14纳米节点”、“聚合近似晶体管数量”、“适用的先进逻辑集成电路”、“前端制造”和“外包半导体组装和测试（OSAT）”等定义

第 772.1 节进行了修订，增加了五个定义：“16/14 纳米节点”、“聚合近似晶体管数量”、“适用的先进逻辑集成电路”、“前端制造商”和“外包半导体组装和测试 （OSAT）”。这些术语被添加到 § 772.1 中，以帮助公众轻松找到这些术语的定义，因为它们用于 EAR 的多个部分。“16/14 纳米节点”、“聚合近似晶体管数量”和“适用的先进逻辑集成电路”的新定义定义了这些技术术语，其方式将在 EAR 中为这些术语的使用位置增加更大的具体性。“前端制造商”和“外包半导体组装和测试 （OSAT）”的新定义为 EAR 定义了这些类型的实体，并将使出口商、再出口商和转让商更容易识别这些类型的实体。

本 IFR 还修订了“先进节点集成电路”的定义，修改了动态随机存取存储器 （DRAM） IC 的第 （3） 段，将存储单元面积从“小于 0.0019 μm2”修改为“小于 0.0026 μm2”，并将存储密度从“大于 0.288 Gb/平方毫米”修改为“大于 0.20 Gb/平方毫米”。此外，该规则还增加了“每个芯片超过 3000 个硅通孔”的参数，以确保根据此定义捕获的所有 DRAM IC 都被捕获。此外，在定义中，注释 2 中的“千兆字节”一词更改为“千兆位”。有关这些修订版的更多解释，请参见 Section III.G.I.B.。

修订以阐明 ECCN 3A090.a 的范围

BIS 力求进一步确保“前端制造商”和“OSAT”公司的客户，包括潜在的空壳公司，不能通过歪曲其 IC 设计的性能来逃避对先进计算 IC 的控制。因此，BIS 已确定，“前端制造商”仅依靠最终用户或交易其他方的证明来确认 ECCN 是不够的。因此，本 IFR 通过修订 ECCN 3A090.a 来修订第 774 部分的第 1 号补充。本 IFR 在 ECCN 3A090.a 中添加了注释 1，以澄清当“前端制造商”或“OSAT”公司寻求出口、再出口或转让（国内）任何“适用的逻辑集成电路”时，可以推定该项目是 3A090.a 并为数据中心设计或销售的。除非这项推定被推翻，否则“前端制造商”或“OSAT”公司必须遵守适用于项目3A090.a指明的所有规定。可以通过三种方式之一来推翻该推定。

对 FDP IFR 中所做的更改的修订

1、非商业管制清单 （CCL） 的修订

b.修订 DRAM“先进节点集成电路”的定义 

该规则更新了第 772.1 节中 DRAM IC 的“先进节点集成电路”定义，以阐明 （1） BIS 打算使用其之前的 18 纳米 （nm） 半间距标准捕获的相关单元面积为 0.0026 平方微米 （μm2）;（2） BIS 打算使用 18 nm 半间距标准捕获的相关存储密度为 0.20 Gb/平方毫米 （Gb/mm2）;（3） 每个晶片要捕获的硅通孔的相关数量是“每个晶粒超过 3000 个硅通孔”的参数。2022 年 10 月，BIS 将第 744.6（c）（2） 和 744.23（a）（2） 节中的先进节点 DRAM IC 定义为具有“18 nm 半间距或以下”的 DRAM IC。根据国际设备和系统路线图 （IRDS） 中为“18 nm 半间距”DRAM 指定的参数，该标准对应于 0.00194 μm2 的 DRAM 单元尺寸和 0.288 Gb/mm2 的内存密度。在 FDP IFR 中，BIS 通过直接引用这些技术参数取代了 18 nm 半间距标准。

然而，根据对 DRAM 生产信息的进一步分析，BIS 确定，由于相关代工厂生产的 DRAM 的 IRDS 定义和实际参数，IRDS 对“18 nm 半间距”的定义并未完全涵盖相当于“18 nm 半间距”的 DRAM IC。因此，它不限制 § 744.23（a）（2） 所涵盖物品的出口、再出口和转让（国内）以及美国人对 § 744.6 （c）（2）（i） 对高带宽内存和其他 DRAM 应用的活动。因此，此次更新修改了单元面积和内存密度参数，以符合 DRAM 行业针对 18 nm 半间距节点的生产标准，而不是 IRDS 对“18 nm 半间距”的定义，该定义基于理论模型，而不是 DRAM 内存的实际物理特性。此修订版对 DRAM 设施实施最终用途和美国人员控制，这些控制以前不受 2024 年 12 月 5 日《FDP IFR》中 DRAM 定义的控制。

c. 修订了与脚注 5 相关的参考资料，以解决对逻辑和 DRAM“节点集成电路”的“生产”的支持。

该规则扩大了适用于脚注 5 实体的新更低限度和 FDP 所涵盖的最终用户范围，以包括“生产”逻辑和 DRAM“先进节点集成电路”的任何最终用户设施。正如 FDP IFR 中所述，由于实体清单规则中描述的特定安全和/或外交政策问题，BIS 将 16 个实体添加到实体清单中，并带有脚注 5 名称，包括支持或可能支持中国生产“先进节点集成电路”的努力，包括用于军事最终用途的努力。这些控制措施补充了 BIS 在 EAR 第 744.6（c）（2） 和 744.23（a）（2） 节中对“先进节点集成电路”的“生产”的现有控制措施。本 IFR 的修订将确保在“知道”某物项的目的地是位于受关注设施的某些实体时，无论它们是否已被添加到带有脚注 5 名称的实体清单中时，管制适用于某些外国生产的物品。目前，BIS 已决定对“生产”逻辑和 DRAM“先进节点集成电路”的设施增加域外控制。

2、商业管制清单 （CCL） 的修订

a.修订以增加改进 3B001.f 和 3B993.f 光刻设备的项目

本条在项目3B001.f、3B993.f、3D992、3D993、3E992及3E993下新增了为改善项目3B001.f.1及3B993.f所指明的深紫外光刻设备的最小可分辨特征尺寸和“专用卡盘覆盖层”而设计或修改的商品、“软件”及“技术”的段落。这些新管制涵盖在项目3B001.f.1或3B993.f中未被指明为该等装备的“特别设计”、“组件”或“附件”的项目，或在相关的3D及3B ECCN中为该等设备的“开发”或“生产”而“特别设计”的“软件”及“技术”的项目。该规则还修改了 EAR 中的各种交叉引用，以包括 3B001.f.6。

补充内容

美国将扩大制程技术的管制范围，包含16纳米成熟制程，台积电等全球晶圆代工厂商可能受到影响。

据台湾《经济日报》星期五（1月10日）报道，业界传闻拜登政府将把制程技术管制范围扩大，从现行7纳米先进制程，延伸至16纳米成熟制程。业界认为，管制扩大后涉及的厂商、应用、订单量更多，恐形成全球晶圆代工甚至半导体产业的新一场风暴。

不过，也有业内人士认为，台积电3纳米与5纳米先进制程贡献扩大，针对16纳米成熟制程的管制对台积电影响应有限且可控，反倒是美国格罗方德等16纳米营收占比较高的厂商更需要观察。

台积电的财报显示，2024年第三季16纳米营收占比约8%。

注：该规则的中英文版本可在合规观澜知识星球获取。

文件地址：

https://public-inspection.federalregister.gov/2025-00711.pdf

本文转自合规观澜公众号，转载请注明出处，版权归原作者所有，侵删